図説超LSI工学 - W.マリ

図説超LSI工学

Add: elizulu97 - Date: 2020-11-22 02:16:55 - Views: 7007 - Clicks: 4489

Panasonic - コンデンサとは、電気を貯めることができ、貯めた電気を必要な時に放電することができる受動部品です。このページではコンデンサの仕組みとして、構造、電気用図記号、電圧と電流や基本的な使い方、特性を説明します。. 啓学出版, 1990. 【メール便送料無料、通常24時間以内出荷】。【中古】 図説超LSI工学 / w. editors, Markus Winterer. Colors - 地上のメッセージ - 小田俊 - 本の購入は楽天ブックスで。全品送料無料!購入毎に「楽天ポイント」が貯まってお得!. W・マリ著 ; 小田俊理訳. 久保脩治(1989)『トランジスタ・集積回路の技術史 --- 人類はどのようにして超lsiを手に入れたか』オーム社,216頁; 中川靖造(1981)『日本の半導体開発---超LSIへの道を拓いた男たち---』ダイヤモンド社. 図説超LSI工学 フォーマット: 図書 責任表示: W.マリ W・マリ著 ; 小田俊理訳 言語: 日本語 出版情報: 東京 : 啓学出版, 1990.

) マリ,W.【著】〈Maly,W.〉. 図説超lsi工学 - W.マリ - 本の購入は楽天ブックスで。全品送料無料!購入毎に「楽天ポイント」が貯まってお得!みんなのレビュー・感想も満載。. Kingery: 内田老鶴圃: セラミックスの大御所ですね。 図説超LSI工学 責任表示: W・マリ著 ; 小田俊理訳 言語: 日本語 出版情報: 東京 : 啓学出版, 1990. マリ, 小田 俊理 / 啓学出版 単行本【メール便送料無料】【あす楽対応】. タイトル: 図説超LSI工学: 著者: W・マリ著 ; 小田俊理訳: 著者標目: Maly, W. 書名ヨミ: ズセツ チョウ エルエスアイ コウガク: 書名別名: Atlas of IC technologies: 出版元: 啓学: 刊行年月: 1990. 超音波工学 - コロナ社: 実装での超音波の影響についての記述がありました。まあ、10ページ程度の為に本を買ってしまえるところが社会人らしいですね。 セラミックス材料科学入門応用編: W. The atlas of IC technologies : an introduction to VLSI processes.

Photovoltaics and optoelectronics from nanoparticles : symposium held April 5-9,, San Francisco, California, U. マリ, 俊理, 小田の図説 超LSI工学。アマゾンならポイント還元本が多数。W. マリ『図説 超LSI工学』の感想・レビュー一覧です。ネタバレを含む感想・レビューは、ネタバレフィルターがあるので安心。読書メーターに投稿された約0件 の感想・レビューで本の評判を確認、読書記録を管理することもできます。. 図説超lsi工学 フォーマット: 図書 責任表示: w・マリ著 ; 小田俊理訳 言語: 日本語 図説超LSI工学 - W.マリ 出版情報: 東京 : 啓学出版, 1990.

12 形態: xii,331p ; 23cm 著者名:. 図説超LSI工学: 著作者等: Maly, W 小田 俊理 マリ W. 1973年 山梨大学大学院工学研究 科修士課程修了. マリ, 俊理, 小田作品ほか、お急ぎ便対象商品は当日お届けも可能。.

NBTI(えぬびーてぃーあい)とは、(英語: Negative Bias Temperature Instability : 負バイアス温度不安定性)の略で、P型半導体(PMOS)の劣化メカニズムのひとつ。. 著者標目: 小田, 俊理: 出版社: 啓学出版: 出版年月. ズセツ チョウ LSI コウガク. 図説超LSI工学 Format: Book Responsibility: W・マリ著 ; 小田俊理訳 Language: Japanese Published: 東京 : 啓学出版, 1990. 12 形態: xii,331p ; 23cm. 図説超lsi工学 種類: 図書 責任表示: w・マリ著 ; 小田俊理訳 出版情報: 東京 : 啓学出版, 1990.

半導体研究 38. 図説 超LSI工学 原書:Atlas of IC Technologies:An Introduction to VLSI Processes(Maly,W. 図説超LSI工学 / W・マリ著 ; 小田俊理訳 資料種別: 図書 出版情報: 東京 : 啓学出版, 1990. 専 門はオプトメカトロニク ス用材料の超精密加工技術とデバイスへの応 用. 12 形態: xii,331p ; 23cm 注記: 参考文献:p326-327 著者名:. なるほど超LSIミクロプロセス入門 佐藤洋一 / オ-ム社 1994/05 税込¥2,669: MOS集積回路の基礎 原央 / 近代科学社 1992/05 税込¥4,950: ここまできたイオン注入技術 超LSIプロセスのリ-ド役 布施玄秀 / 工業調査会 1991/06 税込¥1,922 : 図説超LSI工学 W.マリ / 啓学出版.

★W.マリ著,小田俊理訳,「図説超LSI工学」,啓学出版,1990(絶版)(コピー用プリント貸出) ★参考書としては,以下のものを用意してあることが望ましい。 石田哲郎・清水東 著,「改訂 半導体素子」 コロナ社,3,024 円(). Kingery: 内田老鶴圃: セラミックスの大御所ですね。. 年11月第1版第1刷、定価2800円+税折れ跡等あり、概ねまあまあです。送料はゆうメール(補償なし)で150円になります。※入札前に自己紹介欄をご覧下さい。 この商品はヤフオク!

12: ページ数: 331p: 大きさ: 23cm: ISBN:: NCID: BN※クリックでCiNii Booksを表示: 全国書誌番号. タイトル 著作者等 出版元 刊行年月; 電子物性・材料の事典: 森泉豊栄, 岩本光正, 小田俊理, 山本寛, 川名明夫 編. W.マリ 小田俊理 価格:3,204円(本体2,913円+税) 【1990年12月発売】 8位.

SystemVerilogによるLSI設計ISBN:自宅で保管していた古本です。書棚整理のため出品します。経年変化に伴う汚れ、折れ、曲がり、ヤケなどがわずがにあります。. ・負イオン注入の超微粒子形成による量子効果デバイスへ の応用 ・負イオン注入の生体適合性表面処理への応用 半導体集積回路作製におけるイオン注入 出所:図説超lsi工学, w・マリ 著(小田俊理 訳),啓学出版. Planarization CMP Technology and Appli-cable Materials in Semiconductor Process 78高 分子55巻2月 号(年).

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